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作者：华永平著

出版社：电子工业出版社

出版时间：2010-08-01

书籍编号：30466386

ISBN：9787121115974

正文语种：中文

字数：99243

版次：1

所属分类：教材教辅-大学

版权信息

书名：模拟电子技术与应用

作者：华永平

ISBN：9787121115974

版权所有 · 侵权必究

职业教育 继往开来（序）

自我国经济在新的世纪快速发展以来，各行各业都取得了前所未有的进步。随着我国工业生产规模的扩大和经济发展水平的提高，教育行业受到了各方面的重视。尤其对高等职业教育来说，近几年在教育部和财政部实施的国家示范性院校建设政策鼓舞下，高职院校以服务为宗旨、以就业为导向，开展工学结合与校企合作，进行了较大范围的专业建设和课程改革，涌现出一批示范专业和精品课程。高职教育在为区域经济建设服务的前提下，逐步加大校内生产性实训比例，引入企业参与教学过程和质量评价。在这种开放式人才培养模式下，教学以育人为目标，以掌握知识和技能为根本，克服了以学科体系进行教学的缺点和不足，为学生的顶岗实习和顺利就业创造了条件。

中国电子教育学会立足于电子行业企事业单位，为行业教育事业的改革和发展，为实施“科教兴国”战略做了许多工作。电子工业出版社作为职业教育教材出版大社，具有优秀的编辑人才队伍和丰富的职业教育教材出版经验，有义务和能力与广大的高职院校密切合作，参与创新职业教育的新方法，出版反映最新教学改革成果的新教材。中国电子教育学会经常与电子工业出版社开展交流与合作，在职业教育新的教学模式下，将共同为培养符合当今社会需要的、合格的职业技能人才而提供优质服务。

近期由电子工业出版社组织策划和编辑出版的“全国高职高专院校规划教材·精品与示范系列”，具有以下几个突出特点，特向全国的职业教育院校进行推荐。

（1）本系列教材的课程研究专家和作者主要来自于教育部和各省市评审通过的多所示范院校。他们对教育部倡导的职业教育教学改革精神理解得透彻准确，并且具有多年的职业教育教学经验及工学结合、校企合作经验，能够准确地对职业教育相关专业的知识点和技能点进行横向与纵向设计，能够把握创新型教材的出版方向。

（2）本系列教材的编写以多所示范院校的课程改革成果为基础，体现重点突出、实用为主、够用为度的原则，采用项目驱动的教学方式。学习任务主要以本行业工作岗位群中的典型实例提炼后进行设置，项目实例较多，应用范围较广，图片数量较大，还引入了一些经验性的公式、表格等，文字叙述浅显易懂。增强了教学过程的互动性与趣味性，对全国许多职业教育院校具有较大的适用性，同时对企业技术人员具有可参考性。

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职业教育要不断进行改革，创新型教材建设是一项长期而艰巨的任务。为了使职业教育能够更好地为区域经济和企业服务，我们殷切希望高职高专院校的各位职教专家和老师提出建议，共同努力，为我国的职业教育发展尽自己的责任与义务！

中国电子教育学会

前言

传统意义上的学科课程形成了一个序化的、结构化的、相对比较完整的知识体系，有利于学习者进行大容量快捷记忆、归纳、总结与应用，从知识本身的学习效率来看还是比较高的。但学科课程的致命缺陷是理论与实践严重脱节，使得学习者不仅实践能力得不到实质性的提高。同时，由于缺少知识与岗位工作的关联性及相关应用研究，很多技术理论（原理）知识具有抽象、空洞、晦涩、难懂的特质，也使得学习效率大打折扣，因此，单一的知识学习模式使学习者得到更多的是“知识碎片”，很难进行“系统化”归纳与总结，更不要谈知识的应用了。

以工作过程为导向的课程强调把完整的工作过程及其操作要求作为课程内容。当工作过程导向课程运用项目载体设计学习情境时，这一工作过程实际上就成了完成具体项目的自始至终的步骤。

工作过程导向课程给高职教育注入了“工作”内容，有利于克服学生懂技术却不懂工作的状况。因为传统的高职课程内容是基于技术的，而不是基于工作的。然而高职课程一直是在技术层面突出实践性，而不是在工作层面突出实践性，而且所强调的主要是技术原理。高等职业教育的高等性的重要体现恰恰是技术的复杂性。技术的复杂性是高职存在和发展的根本动力，而掌握现代复杂技术是高职院校学生职业能力水平的重要标志。只熟悉工作步骤和内容，却没有掌握扎实的现代技术的高职院校学生，其职业能力是肤浅的。

模拟电子技术课程是电子信息类专业的一门专业核心课程，也是一门传统意义上的专业基础课程，该课程在技术原理及应用方面的知识体系的完整性是非常重要的。因此，该课程内容的开发有机地综合了工作导向和技术导向这两个基本理念，在工作层面进行技术内容的开发，既考虑了知识的序化与结构化，又考虑了工作任务的序化与典型性，并在完整的工作过程中锻炼学习者应对复杂技术情境的能力。当然，本课程内容的开发不仅依据工作任务，而且进一步依据体现工作任务的项目。

本书按照最新的职业教育教学改革理论，在作者多年的课程改革实践经验基础上进行编写，集理论、实践、仿真、多媒体于一体，是一本实用性强、易于教学的项目式课程教材，其内容重点体现了“以能力为本位、以职业实践为主线”的课程设计要求，以形成模拟放大电路设计、电路制作、电路测试与调试等能力为基本目标，突破传统学科课程的设计思路，紧紧围绕完成工作任务的需要来选择和组织课程内容，突出工作任务与知识的联系，让学生在职业实践活动的基础上掌握知识，增强了课程内容与职业岗位能力要求的相关性，强化了知识学习的针对性和应用性。

通过对模拟电子技术课程的学习，使学生具备本专业高等技术应用型人才所必需的半导体器件、三极管放大电路、场效应管放大电路、集成运算放大器、功率放大器、直流稳压电源、振荡器等有关知识，以及常用仪器仪表的使用、元器件与放大电路的测试、电路设计、电路制作与调试等技能。

本书主要内容包含5个项目，按照初学者循序渐进学习项目的过程进行编排，主要有：晶体管基本电路的测试与应用设计、集成运算放大器的测试与应用设计、功率放大器的测试与应用设计、直流稳压电源的测试与设计、函数信号发生器的测试与设计等。在每个项目内容中，先简单、后复杂；先测试、后设计；先单元电路、后总体电路；先任务、后项目。一般在最后一个任务中完成最终的项目，前面的任务则为最后的项目做铺垫。在每个任务完成的过程中嵌入知识（理论知识和实践知识）的学习，做到“读、做、想、学”等方面环环紧扣，师生互动，以期达到最佳的教学效果。

本书由南京信息职业技术学校华永平主编，南京信息职业技术学院张智玮、徐瑞亚和山西综合职业技术学院王海荣担任副主编。南京长盛仪器有限公司朱晓明总工程师作为编写顾问为本书的编写提供了许多有价值的参考资料，并提出一些具体的编写意见。在此对各位老师和专家对本书编写工作的大力支持表示衷心的感谢！

为了方便教师教学，本书配有免费的电子教学课件、习题参考答案，请有需要的教师登录华信教育资源网（www.hxedu.com.cn）免费注册后进行下载，有问题时请在网站留言板留言或与电子工业出版社联系（E-mail：gaozhi＠phei.com.cn）。

编者

2010年7月于南京

项目1 晶体管基本电路的测试与应用设计

教学导航

学习目标

能正确测试各种晶体管（二极管、三极管、场效应管）的外特性，能正确记录测试结果并能对结果进行准确描述及分析。

了解各种晶体管的结构、符号及其基本特性：二极管的单向导电性、三极管的电流放大特性、场效应管的转移特性等。

能查阅半导体器件手册，了解各晶体管的主要参数、分类及其选择使用方法。

能正确测量三极管、场效应管放大电路的性能指标，并能解释各性能指标的概念。

能设计和装接各种晶体管基本应用电路，并能通过调试得到正确结果。

能对电路中的故障现象进行分析判断并加以解决。

理解各种晶体管应用电路的电路构成、工作原理和电路中各元器件的作用。

能对各晶体管基本应用电路进行分析和计算。

能撰写设计文档和测试报告。

工作任务

各晶体管外特性的测试，记录结果并进行特性描述。

稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管电路的测试。

三极管、场效应管基本放大电路的性能测试。

查阅半导体器件手册，选用相关元器件，完成小功率三极管放大器的电路设计、装接与调试。

撰写设计文档和测试报告。

各种电子设备的主要组成部分是电子线路，而电子线路的核心是半导体器件，如半导体二极管、半导体三极管、场效应管和集成电路。半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，它由于具有体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等优点而得到广泛应用。本项目通过相关测试和设计，学习各种晶体管（二极管、三极管、场效应管）的基本特性及其基本应用电路。

模块1-1 二极管基本特性的测试

学习目标

能正确测试普通二极管的单向导电性。

能正确测量并绘出普通二极管的伏安特性曲线。

能正确测试稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管的基本特性。

能正确记录测试结果并能对结果进行准确描述。

了解普通二极管的结构、符号、单向导电性、温度特性等。

了解普通二极管的等效电路模型。

了解稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管的基本应用。

工作任务

普通二极管电路的装接、基本特性测试、结果记录及描述。

普通二极管伏安特性曲线的测试、结果记录及绘制。

稳压二极管电路的装接、基本特性测试、结果记录及描述。

变容二极管基本特性的测试、结果记录及描述。

发光二极管电路的装接、基本特性测试、结果记录及描述。

光电二极管电路的装接、基本特性测试、结果记录及描述。

任务1-1-1 二极管单向导电性的测试

器件认知

二极管是各种半导体器件及其应用电路的基础，各种普通二极管（简称二极管，区别于稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等特殊二极管）器件的外形图及封装形式如图1-1所示。

图1-1 普通二极管的外形图及封装形式

二极管的结构示意图如图1-2（a）所示。将PN结用外壳封装起来，并在两端加上电极引线就构成了半导体二极管。其中，由P区引出的电极称为阳极a，由N区引出的电极称为阴极k。二极管的电路符号如图1-2（b）所示，其箭头方向表示正向电流的方向，即由阳极指向阴极的方向。

图1-2 二极管的结构示意图和电路符号

二极管的种类很多，分类方法也不相同。按所用的半导体材料可分为硅管和锗管；按功能可分为开关管、整流管、稳压管、变容管、发光管和光电管等，其中开关管和整流管统称为普通二极管，其他的则统称为特殊二极管；按工作电流大小可分为小电流管和大电流管；按耐压高低可分为低压管和高压管；按工作频率高低可分为低频管和高频管等。具体型号及选择可查阅相关器件手册。二极管的命名方法见附录D。

应用测试

测试要求：按测试程序要求完成所有测试内容，并撰写测试报告（格式要求见附录A）。

测试设备：模拟电路综合测试台1台，0～30V直流稳压电源1台，数字万用表1块，毫安表1只。

测试电路：如图1-3所示，其中二极管VD为1N4148（或其他），R=1kΩ。

图1-3 二极管单向导电性测试电路

测试程序：

① 按图1-3接好电路。

② 由直流稳压电源输出10V电压接入输入端，即U_I =+10V（此时二极管两端所加的电压为正向电压），测量输出电压和电流的大小，并记录U_O=_____V；I=_____mA，测量此时二极管两端的电压为U_VD=_____V。

结论：当二极管两端所加的电压为正向电压时，二极管将________（导通/截止，截止即不导通）。

③ 保持步骤②，将二极管反接（此时二极管两端所加的电压为反向电压），测量输出电压和电流的大小，并记录U_O=_____V；I=_____mA。

结论：当二极管两端所加的电压为反向电压时，二极管将________（导通/截止）。

④ 用万用表直接测量二极管的正、反向电阻，比较大小并记录：正向电阻=_____kΩ，反向电阻=_____kΩ。

结论：二极管________（具有/不具有）单向导电性，且正向导通时，导通电压降约为_________（零/零点几/几）伏。

思维拓展

二极管的导通与截止状态与电路中的开关器件有何相似之处?有何区别?

知识链接

1.半导体基础知识

1）半导体材料

半导体器件是由经过特殊加工且性能可控的半导体材料制成的。所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质，最常用的是硅（Si）和锗（Ge）两种半导体。半导体材料之所以得到广泛的应用，是因为它具有不同于导体和绝缘体的两种独特性质。

（1）当半导体受到外界光和热的激发时，其导电能力会发生显著变化（即光敏与热敏特性）。

（2）在纯净的半导体中加入微量的杂质，其导电能力也会有显著的增加（即掺杂特性）。

2）本征半导体

本征半导体是完全纯净的、结构完整的半导体晶体，其结构示意图如图1-4（a）所示。

本征半导体中存在大量的价电子，在热力学温度为0K（即-273.15℃）时，价电子均被束缚在共价键中，不能自由移动。此时，本征半导体是不能导电的。当温度升高或受光照射时，价电子以热运动的形式不断地从外界获取能量，少数价电子获得足够大的能量从而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，这种现象称为本征激发。

价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位，这个空位称为空穴。空穴是一种带正电荷的载流子，其电量与电子电量相等。如图1-4（b）所示，其中A处为空穴，B处为自由电子。显然，自由电子和空穴是成对出现的，因此称为电子-空穴对。

图1-4 本征半导体

可见，在本征半导体中存在两种载流子，带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴，而金属导体中只有一种载流子，即自由电子，这是二者的一个重要区别。但是，由于本征激发产生的电子-空穴对的数目很少，载流子浓度很低，因此本征半导体的导电能力仍然很弱。

在本征激发产生电子-空穴对的同时，自由电子在运动中因能量的损失有可能和空穴相遇，重新被共价键束缚起来，电子-空穴对消失，这种现象称为“复合”。显然，在一定的温度下，激发和复合都在不停地进行，但最终将达到动态平衡。因此，在一定的温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。

3）杂质半导体

通过扩散工艺，在本征半导体中掺入微量合适的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著改变，形成杂质半导体。根据掺入杂质的化合价不同，可分为N型半导体和P型半导体。

（1）N型半导体

在纯净的硅（或锗）晶体中掺入微量的5价磷元素，就形成了N型半导体。杂质磷原子有5个价电子，它以4个价电子与周围的硅原子形成共价键，多余的一个价电子处于共价键之外，很容易成为自由电子，而磷原子本身因失去电子变成带正电荷的离子，如图1-5所示。

图1-5 N型半导体

由于这种杂质原子可以提供自由电子，因此称为施主杂质。通常，掺杂所产生的自由电子浓度远大于本征激发所产生的自由电子或空穴的浓度，所以杂质半导体的导电性能远超过本征半导体。

显然，在N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴浓度，所以称自由电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载流子（简称少子）。多子的浓度取决于所掺杂质的浓度，而少子是由本征激发产生的，因此它的浓度与温度或光照密切相关。

（2）P型半导体

在纯净的硅（或锗）晶体中掺入微量的3价硼元素，就形成了P型半导体。由于硼原子只有3个价电子，它与周围的硅原子形成共价键时，因缺少一个电子而产生一个空位（即空穴）。在室温下它很容易吸引邻近硅原子的价电子来填补，于是杂质硼原子变为带负电荷的离子，而邻近硅原子的共价键中则出现了一个空穴，如图1-6所示。

图1-6 P型半导体

由于这种杂质原子能吸收电子，因此称为受主杂质。显然，在P型半导体中，空穴是多子，而自由电子是少子。

关于掺杂的概念在这里还可以做一些引申。如果半导体中的同一区域既有施主杂质又有受主杂质，则其导电类型（N型还是P型）取决于浓度大的杂质。因此，若在N型半导体中掺入浓度更大的受主杂质，则可将其变为P型半导体，反之亦然。这种因杂质的相互作用而改变半导体类型的过程称为杂质补偿，它在半导体器件的制造中得到了广泛的应用。

2.二极管的单向导电性

二极管最基本的特性就是单向导电性。由于二极管的组成核心是PN结，因此必须首先了解PN结及其导电特性。

1）PN结的形成

如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块本征半导体基片上，在它们的交界面就会形成一层很薄的特殊导电层，即PN结，如图1-7所示。PN结是构成各种半导体器件的基础。

（1）多子的扩散运动

如图1-7（a）所示，由于N区的电子多、空穴少，而P区则空穴多、电子少，在交界面两侧就出现了浓度差，从而引起了多数载流子的扩散运动。N区的电子向P区扩散，而P区的空穴也要向N区扩散。扩散到相反区域的载流子将被大量复合，在交界面附近载流子的浓度就会下降，仅留下不能移动的杂质离子，从而形成了一个很薄的空间电荷区，这就是PN结，又称为耗尽层，如图1-7（b）所示。

图1-7 PN结的形成

（2）少子的漂移运动

空间电荷区出现的同时，也产生了一个由N区指向P区的内电场。显然，内电场将阻止多子的扩散，因此空间电荷区又称为势垒区或阻挡层。内电场将引起少数载流子的漂移运动，P区的电子向N区运动，而N区的空穴向P区运动。

因此，在交界面两侧同时存在扩散和漂移这两种方向相反的运动。显然，在无外电场或其他激发作用下，扩散和漂移将达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本保持不变。此时，扩散电流与漂移电流大小相等、方向相反，流过PN结的总电流为零。

2）PN结的单向导电性

若在PN结两端外加电压，即给PN结加偏置，就将破坏原来的平衡状态，PN结中将有电流流过。而当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能，即呈现出单向导电性。

（1）正向导通

若PN结的P端接电源正极、N端接电源负极，这种接法称为正向偏置，简称正偏，如图1-8（a）所示。正偏时，PN结变窄，流过较大的正向电流（主要为多子的扩散电流），其方向由P区指向N区。此时PN结对外电路呈现较小的电阻，这种状态称为正向导通。

图1-8 外加电压时的PN结

（2）反向截止

若PN结的P端接电源负极、N端接电源正极，这种接法称为反向偏置，简称反偏，如图1-8（b）所示。反偏时，PN结变宽，流过较小的反向电流（主要为少子的漂移电流），其方向由N区指向P区。此时PN结对外电路呈现较高的电阻，这种状态称为反向截止。

综上所述，PN结正向导通、反向截止，这就是PN结的单向导电性。由于PN结是构成二极管的核心，因此它也决定了二极管的单向导电性。

任务1-1-2 二极管伏安特性的测试

应用测试

测试要求：按测试程序要求完成所有测试内容，并撰写测试报告。

测试设备：模拟电路综合测试台1台，0～30V直流稳压电源1台，数字万用表1块，毫安表1只，微安表1只。

测试电路：如图1-9所示，其中二极管VD为1N4148（或其他），R=1kΩ。

图1-9 二极管伏安特性测试电路

测试程序：

① 按图1-9（a）接好电路（此时读出的电压值和电流值应视为正值），直流稳压电源接输入端U_I（下同）。

② 按表1-1的要求测量各点电压值和电流值，并填入表中。

③ 按图1-9（b）接好电路（此时读出的电压值和电流值应视为负值）。

④ 按表1-1的要求测量各点电压值和电流值，并填入表中。

⑤ 根据表1-1的测试结果，在坐标纸上大致绘出二极管的伏安特性曲线，即I-U关系曲线（U为横坐标，I为纵坐标）。

表1-1 二极管伏安特性测试结果

思维拓展

二极管的伏安特性是否严格符合单向导电性?为什么?

知识链接

1.二极管的伏安特性

二极管的伏安特性曲线如图1-10所示。为了使曲线清晰，横轴所代表的电压在U＞0和U＜0两部分采用不同的比例，纵轴所代表的电流在I＞0和I＜0两部分则采用不同的单位。

图1-10 二极管的伏安特性曲线

1）正向特性

二极管两端不加电压时，其电流为零，故特性曲线从原点开始。正向特性曲线开始部分变化很平缓，表明当正向电压较小时，正向电流很小，此时二极管实际上没有导通，工作于“死区”。死区以后的正向特性曲线上升较快，表明只有在正向电压超过某一数值后，电流才显著增大，这个电压称为导通电压或开启电压、死区电压，用U_on表示。在室温下，硅管的U_on≈0.5V，锗管的U_on≈0.1V。当U＞U_on时，正向电流从零开始随端电压按指数规律增大，二极管处于导通状态，呈现很小的电阻。当正向电流较大时，正向特性曲线几乎与横轴垂直，表明当二极管导通时二极管两端电压（称为管压降，用U_VD表示）变化很小。通常，硅管的管压降约为0.6～0.8V，锗管的管压降约为0.1～0.3V。

2）反向特性

反向特性曲线靠近横轴，表明当二极管外加反向电压时，反向电流很小，管子处于截止状态，呈现出很大的电阻，而且当反向电压稍大后，反向电流基本不变，即达到饱和。因此二极管的反向电流又称为反向饱和电流，用I_sat表示。小功率硅管的反向电流一般小于0.1（A，而锗管通常为几微安。反向电流越小，二极管的单向导电性越好。

二极管的伏安特性也可以用特性方程来描述。

式中，I_sat为反向饱和电流，U_T=kT/q为温度电压当量，其中k为玻耳兹曼常数，T为热力学温度，q为电子电量。在室温为27℃或300 K时，U_T≈26 mV。

2.二极管的温度特性

由于半导体材料具有热敏特性，因此二极管对温度也有一定的敏感性。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2～2.5mV；温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。显然，二极管的反向特性受温度的影响较大。这一点对二极管的实际应用是不利的，因为不管是普通二极管还是特殊二极管均有可能工作在反向区。当然，温度对二极管的影响是不可避免的，因为温度总是存在的且经常变化的。

3.二极管的等效电路模型

二极管是一种非线性器件，因而对二极管电路的严格分析一般要采用非线性电路的分析方法，具有一定的困难。下面简要介绍普通二极管的等效电路分析法。

1）理想模型

理想二极管的U-I特性如图1-11（a）所示，其中的虚线表示实际二极管的U-I特性。图1-11（b）为它的等效电路。由图1-11（a）可见，在正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，它的电阻为无穷大，电流为0。在实际的电路中，当电源电压远大于二极管的管压降时，利用此法来近似分析是可行的。

图1-11 理想模型

2）恒压降模型

恒压降模型如图1-12所示，其基本思想是二极管导通后，其管压降U_VD是恒定的，不随电流而变化，典型值为0.7V。不过，这只有当二极管的电流i_VD近似等于或大于1mA时才是可行的。该模型提供了合理的近似，因此应用也较广。

图1-12 恒压降模型

3）折线模型

折线模型如图1-13所示，为了较真实地描述二极管的U-I特性，在恒压降模型的基础上做一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着二极管电流的增大而增加的。折线模型通常用一个直流电源和一个电阻r_VD来做进一步的近似。这个直流电源的电压选定为二极管的开启电压U_on，约为0.5V。至于r_VD的值，可以这样来确定。例如，当二极管的导通电流为1mA、管压降为0.7V时，r_VD的值可计算如下：

由于二极管特性的离散性，U_on和r_VD的值不是固定不变的。

图1-13 折线模型

需要注意的是，r_VD并不是二极管的直流电阻R_VD，R_VD应为二极管两端所加的直流电压U_VD与流过管子的直流电流I_VD之比，即

【简单测试】分别用万用表的R×10挡、R×100挡和R×1000挡测量二极管1N4148的正向电阻值，并记录R_VD=_____，_____，_____。

结论：二极管的正向直流电阻将随电流的变化而___________（变化/不变化）。

显然，用万用表直接测量出的电阻就是二极管的直流电阻R_VD，一般二极管的正向直流电阻约在几十欧至几千欧之间，反向直流电阻一般在几百千欧以上。且有R_VD＞r_VD，电流I_VD越大，它们的值均越小。

任务1-1-3 稳压二极管的特性测试

器件认知

稳压二极管是一种特殊的硅材料二极管，由于在一定的条件下能起到稳定电压的作用，故称稳压管，常用于基准电压、保护、限幅和电平转换电路中。

稳压二极管器件的外形图及电路符号如图1-14所示。

应用测试

测试要求：按测试程序要求完成所有测试内容，并撰写测试报告。

测试设备：模拟电路综合测试台1台，0～30V直流稳压电源1台，数字万用表1

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