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作者：周敏,唐永强

出版社：电子工业出版社

出版时间：2011-05-01

书籍编号：30466492

ISBN：9787121128738

正文语种：中文

字数：92903

版次：3

所属分类：教材教辅-中职/高职

版权信息

书名：电子技术（第3版）

作者：周敏　唐永强

ISBN：9787121128738

版权所有 · 侵权必究

中等职业教育国家规划教材出版说明

为了贯彻《中共中央国务院关于深化教育改革全面推进素质教育的决定》精神，落实《面向21世纪教育振兴行动计划》中提出的职业教育课程改革和教材建设规划，根据《中等职业教育国家规划教材申报、立项及管理意见》（教职成［2001］1号）的精神，教育部组织力量对实现中等职业教育培养目标和保证基本教学规格起保障作用的德育课程、文化基础课程、专业技术基础课程和80个重点建设专业主干课程的教材进行了规划和编写，从2001年秋季开学起，国家规划教材将陆续提供给各类中等职业学校选用。

国家规划教材是根据教育部最新颁布的德育课程、文化基础课程、专业技术基础课程和80个重点建设专业主干课程的教学大纲编写而成的，并经全国中等职业教育教材审定委员会审定通过。新教材全面贯彻素质教育思想，从社会发展对高素质劳动者和中初级专门人才需要的实际出发，注重对学生的创新精神和实践能力的培养。新教材在理论体系、组织结构和阐述方法等方面均做了一些新的尝试。新教材实行一纲多本，努力为教材选用提供比较和选择，满足不同学制、不同专业和不同办学条件的教学需要。

希望各地、各部门积极推广和选用国家规划教材，并在使用过程中，注意总结经验，及时提出修改意见和建议，使之不断完善和提高。

教育部职业教育与成人教育司

2001年5月

前言

本书是根据教育部颁布的《中等职业学校电子技术教学大纲（试行）》要求在原《电子技术》（第2版）基础上稍作修改而编写的修订版，即《电子技术（第3版）》，为中等职业学校工科非电类及相关专业三年制通用（多学时）教材。

本教材采用模块式编排。全书包含模拟电子技术、数字电子技术、电力电子技术三大模块，各章节组成小模块。主要内容有：常用半导体器件、半导体三极管基本放大电路、运算放大器、数字电路基础、组合逻辑电路、时序逻辑电路、波形产生及变换电路、电源电路等。实验与实训集中放在全书最后。书中对选学内容标以*号，以方便各专业的不同要求和不同学时的需要。

本教材力求贯彻以能力为本位、以应用为主线的新课程体系；面向实际，适当降低理论教学难度。例如，电子器件着眼于讲清外特性；基本电路着眼于应用，简化定量分析。在选材上，注意尽可能采用贴近生产实际，反映当前新知识、新技术的内容，大纲中要求“掌握”或“理解”的知识点，一般都配以适当的课堂练习或例题，便于教师开展教学，帮助学生更好地掌握、理解。教材中的基本教学要求的内容一般都以自我检查题的形式出现，以便于学生复习。

本教材贯彻理论联系实际的原则，知识点的引入采用实物示教、演示实验等直观教学方式，每个单元都配以相应的实验。教材中的演示实验大多可在Electronics Workbench 5.0（电子工作台）上实现，使课堂教学生动活泼，学生易学易懂。

为了方便教师教学，本书配有电子教学参考资料包（包括教学指南、电子教案及习题答案），免费提供教师使用。请有此需要的教师登录华信教育资源网（http：//www.hxedu.com.cn）下载或与电子工业出版社联系。E-mail：ve＠phei.com.cn

本教材由上海电子信息职业技术学院周敏老师、唐永强老师编写。

由于编写时间过于仓促，加上编者水平有限，教材中一定会有不少欠缺和错误，恳请使用本教材的师生和读者提出宝贵意见，以便于今后改进。

编 者

2010年12月

第1篇 模拟电子技术

第1章 常用半导体器件

1.1 半导体二极管（Semiconductor Diode）

1.1.1 半导体二极管的结构和符号

半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。世界上第一个晶体二极管诞生于1946年，而1947年第一个晶体三极管制成后，使半导体技术得到了极为迅速的发展。在这个基础上进一步发展起来的集成电路技术更把半导体器件所具有的微型化、低耗能、高可靠性等一系列优点发挥得淋漓尽致，使半导体器件在全世界各个领域都获得了广泛的应用。

半导体二极管是用半导体材料制成的。半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅、锗。纯净的半导体又称本征半导体，其原子都按一定规律整齐排列，呈晶体结构。半导体材料受热或受光照后，其导电性能会变强，这就是半导体的热敏特性和光敏特性。另外，在本征半导体中掺入微量的杂质后，导电性能会显著提高，这就是半导体的掺杂特性。在本征半导体中掺入不同种类的杂质元素，就能得到导电性能不同的半导体材料。如果在硅晶体中掺入微量的三价硼元素，就会得到以空穴载流子为主的空穴型半导体，空穴载流子是带正电荷的，空穴型半导体又称为P型半导体。如果在硅晶体中掺入微量的五价磷元素，就会得到以电子载流子为主的电子型半导体，电子载流子是带负电荷的，电子型半导体又称为N型半导体。如果通过一定的生产工艺把P型半导体和N型半导体结合在一起，就会在它们的交界处形成一个具有特殊性能的薄层，称为PN结。PN结是构成各种半导体器件的核心部分。给PN结装上相应的电极引出端及管壳，就制成了半导体二极管。半导体二极管的图形符号、外形及结构如图1-1所示。

图1-1 半导体二极管的图形符号、外形及结构

1.1.2 PN结和它的单向导电性

PN结具有单向导电性，这是半导体二极管的一个重要特性，但该特性只有在外加电压时才显示出来。

演示实验：

观察半导体二极管的单向导电性。

如图1-2（a）所示，二极管的正极接电源正端，二极管的负极接电源负端，这种接法称为二极管外加正偏电压（正向偏置），此时灯亮，表示有较大的电流流过二极管，表明二极管导通。二极管的正极接电源负端，二极管的负极接电源正端，这种接法称二极管外加反偏电压（反向偏置），如图1-2（b）所示，此时灯不亮，表示没有电流流过二极管，表明二极管截止。

图1-2 半导体二极管的单向导电性

由上述演示实验可知：半导体二极管外加正偏电压时导通，外加反偏电压时截止。这就是半导体二极管的单向导电性。

1.1.3 半导体二极管的伏安特性曲线

演示实验：

观察二极管的伏安特性曲线。

应用晶体管特性图示仪（如JT-1，QT-2等）来观察及测量半导体二极管的伏安特性曲线。

图1-3所示为小功率硅二极管的伏安特性曲线。从二极管的伏安特性曲线可知，当二极管两端加较小的正向电压时，二极管还不能导通，这一段（OA段）称为死区电压（硅管死区电压小于0.5V，锗管死区电压小于0.1V）。超过死区电压后，二极管中电流开始增大，继续增加电压直至只要电压略有增加，电流便急剧增大（B点），这时二极管导通（硅管导通电压约为0.7V，锗管约为0.3V），此时二极管在电路中相当于一个开关的接通状态。以上为二极管伏安特性曲线中正向特性的特点。

图1-3 小功率硅二极管的伏安特性曲线

当二极管两端加反向电压（小于某一数值）时，二极管并不是理想的截止状态，它会有很小的反向电流，而且反向电流在一定范围内基本不随反向电压变化而变化（OC段），称为反向饱和电流（一般硅管约为几微安到几十微安，锗管约为几十微安到几百微安），此时二极管在电路中相当于一个开关的断开状态。由于半导体具有热敏特性，因此反向饱和电流将随温度升高而增大。通常温度每升高10℃，其反向饱和电流约增大一倍。当反向电压增大至某一数值后，反向电流开始急剧增大（D点），二极管将被击穿，有可能把普通的二极管烧坏。以上为二极管伏安特性曲线中的反向特性的特点。

1.1.4 半导体二极管的主要参数（Parameters）

1.最大整流电流I_F

最大整流电流是指二极管在室温下长期运行允许通过的最大正向平均电流。超过这一数值二极管将因过热而烧坏。工作电流较大的大功率管子还必须按规定安装散热装置。

2.最高反向工作电压V_RM

最高反压工作电压是指允许加在二极管上的反向电压的最大值。使用时应保证反向电压在任何情况下都不要超过这一数值，以避免二极管被反向击穿。

此外，还有正向压降、反向电流、工作频率等参数，选用二极管时也应视具体情况而加以考虑。

1.1.5 特殊二极管的作用

二极管的种类很多，利用PN结的单向导电性特点工作的有整流二极管、检波二极管、开关二极管等。此外，人们还根据PN结的其他特点制造出了一些具有特殊用途的二极管，如稳压二极管、发光二极管、光电二极管及变容二极管等。以下简单介绍常见的几种二极管。

1.稳压二极管（其图形符号为）

根据前面的介绍我们知道，当二极管上外加的反向电压增大到一定数值以后，二极管的反向电流会剧增，这就是反向击穿现象。对整流二极管来说，反向击穿就意味着管子失去单向导电性而损坏。但是如果能利用二极管反向击穿时通过管子的电流在很大范围内变化，而管子两端的电压却几乎不变的特点，就可以实现稳压。稳压二极管就是通过对半导体进行特殊工艺处理后，使它能够有一个陡峭的反向击穿特性。稳压管实质上是工作在反向击穿状态下的二极管，未反向击穿时，和一般的整流二极管没有太大区别，因为它工作在反向击穿状态，所以反向电流较大，在实际应用中需要在外电路串联一个限流电阻，对反向电流加以限制，使稳压管能安全工作。

常用稳压管有2CW和2DW系列。主要参数有：稳压电压V_Z、稳定电流I_Z、最大稳定电流I_ZM、动态电阻r_Z和最大耗散功率P_ZM。

2.发光二极管（其图形符号为）（英文缩写LED）

发光二极管的PN结是工作在正向偏置状态的。发光二极管是用特殊的半导体材料，如砷化镓等制成的，砷化镓半导体辐射红光；磷化镓半导体辐射绿光或黄光等。发光二极管的PN结正向特性比较特殊，相当一部分工作电流约为10～30mA时，正向电压降约为1.5～3V，这点在使用中要注意，不要与一般二极管的正向导通电压相混淆。发光二极管常用做电子设备中的显示器。

发光二极管具有体积小、响应快、光度强、寿命长、污染低、适用范围广等特点。随着人类环保意识的增强，有着“绿色照明光源”之称的白光LED将逐步取代现有的灯泡照明产品。白光是多种单色光合成的复合光。目前国内市场的白光LED大多用蓝光LED芯片和荧光粉封装而成。供电电源在6～24V，特别适用于公共场所。

3.光电二极管（图开符号为）

光电二极管PN结工作在反向偏置状态，它的反向工作电流与光照强度成正比。这是利用半导体光敏特性制造的光接收器件，当光照强度增加时，PN结两侧的少数载流子浓度增大，当二极管反偏时，反向电流也增大。即光电二极管反向电流随光照增加而增大。

光电二极管常用于光检测。若制成大面积光电二极管，即可作为光电池。

4.变容二极管（图形符号为）变容二极管PN结工作在反向偏置状态，当其外加反向电压增加时，结电容（主要是势垒电容）随反向电压增加而减少，利用结电容随外加电压改变而改变的特性制造出变容二极管，它在高频电子技术中应用较多。

自我检查题

1.半导体二极管具有特性，即外加______电压，二极管导通，有______的电流通过二极管；外加______电压，二极管截止，只有______的反向电流通过二极管。

A.导电；B.单向导电；C.正向偏置；D.反向偏置；E.较大；F.很小

2.PN结具有单向导电性，其导电方向是从______。

A.P区到N区；B.N区到P区

3.通常小功率硅二极管的正向导通压降是______V，小功率锗二极管的正向导通压降是______V。

A.0.1V；B.0.3V；C.0.5V；D.0.7V

4.电路如图1-4所示，试确定二极管是正向偏置还是反向偏置。设二极管正向偏置时的正向压降为0.7V，分别估算图1-4（a）和图1-4（b）中的V_A，V_B，V_C，V_D，V_AB，V_CD。

5.一个硅二极管的反向饱和电流在25℃时是10μA，那么在55℃时它的反向饱和电流约为多少?

图1-4

1.2 半导体三极管

1.2.1 半导体三极管的结构和符号

常见半导体三极管的外形及引脚排列，如图1-5所示。

图1-5 半导体三极管的外形及引脚排列

半导体三极管简称为三极管或晶体管，它是应用在电子电路中的很普遍的一种半导体器件。三极管的基本结构是在一块半导体基片上，用一定的工艺方法形成两个PN结和三个导电区，如图1-6所示。如果两边是N区中间为P区，就称为NPN型三极管；如果两边是P区而中间是N区，就称为PNP型三极管。三极管有三个导电区，从中分别引出三个电极。中间的一个导电区称为基区，由此引出的电极为基极B（Base）。两边分别是发射区及集电区，分别引出的电极为发射极E（Emitter）和集电极C（Collector）。发射区用来发射载流子，集电区用来收集载流子。三极管的图形及符号分别如图1-6（b）和图1-6（d）所示，其中发射极箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，因此从它的方向即能判断管子是NPN型还是PNP型。

图1-6 半导体二极管的结构和符号

NPN型和PNP型两种类型的三极管，按其所选用的本征半导体材料的不同，有硅管和锗管之分。

1.2.2 三极管的电流放大作用

为了实现电流放大作用，半导体三极管除了内部结构上的特点之外，还必须具备合适的外部条件，既要给三极管的发射结加正向电压，又要给集电结加反向电压。以NPN型管为例，如图1-7所示，图中V_CC＞V_BB，基极电源V_BB的极性应保证使发射结处于正向偏置；而集电极电源V_CC的极性应保证集电结处于反向偏置。其中三个电极的电位关系是V_C＞V_B＞V_E。如果是PNP型管，就应将基极电源V_BB和集电极电源V_CC的极性均反过来，这时I_B，I_C，I_E的方向也反过来了，三个电极的电位关系为V_C＜V_B＜V_E。

在图1-7所示电路中，I_B所经过的回路称为输入电路，I_C所经过的回路称为输出电路，两个电路的公共端是三极管的发射极E，所以上述电路称为共发射极（Common Emitter）电路，简称共射电路。此外还有共基极（Common Base）电路，简称共基电路，以及共集电极（Common Collector）电路，简称共集电路。

图1-7 三极管电流放大的实验电路

演示实验：

测量I_B，I_C，I_E并研究它们之间的相互关系。

演示电路如图1-7所示，改变R_B可以改变基极电流I_B，而且集电极电流I_C与发射极电流I_E也随之变化。测量结果如表1.1所示。从这些实验数据，我们可以得到以下结论。

表1.1 三极管电流放大实验测试数据

（1）I_B，I_C，I_E 三个电流符合基尔霍夫电流定律。

由于I_B很小，所以I_C和I_E 相差很小，即I_C≈I_E。

（2）I_C与I_B的关系。对一个确定的三极管而言，I_C与I_B的比值基本不变，该比值称为共发射极直流电流放大系数（Current Amplification Factor）。

（3）基极电流的微小变化（ΔI_B）能引起集电极电流的较大变化（ΔI_C），ΔI_C和 ΔI_B之比称为共发射极交流电流放大系数，记做β。

从表1-1实验数据中可见，测量时由于每次三极管的工作电流大小不同，而三次测量的β（或）也有一定的差异，这说明β（或）与三极管的工作电流大小有关。

（4）基极开路时（I_B=0），I_C不为零。这时的I_C值称为穿透电流，记作I_CEO。I_CEO很小，锗管为mA级，而硅管为μA级。因为I_CEO是I_B=0时的I_C值，所以I_CEO不受I_B的控制。

（5）β和的区别和联系。因为当I_B=0时，I_C=I_CEO；而当基极电流由0增至I_B时，集电极电流也相应地由I_CEO增至I_C，故有

于是可得出

式（1-4）表明了I_C和I_B的关系，因为I_CEO很小，所以I_C≈βI_B或β≈，故在工程上对β和不作严格区分，估算时可以通用。

根据以上分析可知，I_E是由I_C和I_B组成的，所谓电流放大并非大电流I_C是由小电流I_B放大而来的，而是大电流I_C受小电流I_B控制。以小控大，使I_C随I_B的变化而变化的过程，就是三极管电流放大作用的实质。

课堂练习：

某三极管的电流分配关系数据如表1.1所示，求I_B=0.02mA时的β和。

1.2.3 半导体三极管特性曲线

由于共发射极电路在电子电路中应用最为广泛，所以下面仍以NPN型硅管为例，分析讨论三极管共发射极接法时的特性曲线。

1.输入特性（Input Characteristics）

输入特性曲线是指当V_CE一定时，I_B与V_BE之间的关系曲线，即

I_B=f（V_BE）|_VCE=常数

演示实验：用晶体管特性图示仪测量三极管的输入特性曲线。

实验结果如图1-8所示。由图可见，三极管的输入特性是非线性的，与二极管正向特性相似，也有一段死区电压（硅管约为0.5V，锗管约为0.2V）。当三极管正常工作时，发射结压降变化不大，该压降称为导通电压（硅管约为0.6～0.7V，锗管约为0.2～0.3V）。由实验还可知，当V_CE增大时输入特性曲线会向右平移，但V_CE＞2V后，该曲线基本不再向右平移而趋于重合。

2.输出特性（Out-put Characteristics）

输出特性曲线是指当I_B一定时，I_C与V_CE之间的关系曲线，即

I_C=f（V_CE）|_IB=常数

图1-8 三极管的输入特性曲线

演示实验：

用晶体管特性图示仪测量三极管的输出特性曲线。

实验结果如图1-9所示。由图可见，三极管的输出特性中，对应于每一个I_B值，就有一条特性曲线与之对应，所以三极管的输出特性是一组曲线，它可分为放大区（Active Region）、饱和区（Saturation Region）和截止区（Cut-off Region）三个工作区域，如图1-10所示。它们分别与三极管的三种工作状态：放大状态、饱和状态、截止状态相对应。

（1）放大区。三极管处于放大状态的条件是：发射结正向偏置和集电结反向偏置。放大区就是在输出特性曲线上I_B＞0和V_CE＞1V的部分，即曲线平坦区域，如图1-10所示。可见当I_B不变时I_C基本不变，即具有恒流特性；I_B改变，I_C随之改变，表明I_C受I_B控制，具有电流放大作用。

图1-9 三极管的输出特性曲线

图1-10 三极管的三个工作区域

（2）饱和区。如果发射结正向偏置且集电结也是正向偏置，则三极管处于饱和状态。饱和区也就是在输出特性曲线上，I_C随V_CE的增大而增大的区域，如图1-10所示，此时I_C≈βI_B的关系不成立。饱和时集电极电流I_C不再随I_B的变化而变化，此时的I_C记作I_CS，称为集电极饱和电流。集电极饱和电流I_CS主要由外电路决定：

三极管饱和时其管压降V_CE称为饱和压降V_CES，V_CES很小，一般小功率的硅管约0.3V，锗管约0.1V，此时三极管相当于开关的接通。

（3）截止区。发射结反向偏置时，因发射结两端电压小于死区电压，由三极管的输入特性曲线可知I_B≈0。由三极管的输出特性曲线可知，I_B=0时，I_C=I_CEO≈0，三极管处于截止状态，截止区是在输出特性曲线中I_B=0以下的区域，如图1-10所示，此时V_CE近似等于集电极电源电压V_CC，三极管相当于开关的断开。

NPN型小功率三极管在三种工作状态时各极电压的典型数据如表1.2所示。

表1.2 NPN型小功率三极管在三种工作状态时各极电压的典型数据

综上所述，三极管使用时通常有两种不同的方式：第一种是三极管工作在放大状态，利用I_B对I_C的控制作用，这是三极管在模拟电子技术中的应用；第二种是三极管工作在开关状态，利用三极管在饱和与截止两个状态之间转换，使三极管相当于一个受控开关，这是三极管在脉冲数字电子技术中的应用。

图1-11

课堂练习：

试判断图1-11所示的各三极管工作在什么状态?并说明各三极管的管型。

1.2.4 三极管的主要参数

1.共发射极直流电流放大系数β和交流电流放大系数β

表示三极管工作点附近集电极电流与相应的基极电流之比，还可从三极管的输出特性曲线上求得。

β值表示三极管工作点附近集电极电流的变化量与相应的基极电流变化量之比，β值也可以从三极管的输出特性曲线上求得。

课堂练习：

三极管的输出特性曲线如图1-10所示，试求在V_CE=6V处的β和的值。

2.集电极发射极穿透电流I_CEO

由于I_CEO不受I_B控制，而且I_CEO对温度变化比较敏感，所以希望I_CEO越小越好，以免影响放大电路的稳定性。由于硅管的I_CEO远小于锗管，因此人们在多数情况下选用硅管。

3.极限参数

极限参数是指在三极管正常工作时，所允许的最大电流、电压和功率等极限参数，它关系到三极管的安全使用问题。

（1）集电极最大允许电流 I_CM。工作时 I_C若超过 I_CM，三极管的β值将明显下降，β值低于额定值的2/3后，三极管的特性将变差。

（2）集电极发射极反向击穿电压V_（BR）CEO。工作时，V_CE应小于此值，以免击穿。另外温度升高将使V_（BR）CEO降低，因此应留有一定余量。

（3）集电极最大耗散功率P_CM。使用中应特别注意I_CM和V_CE，绝不能同时达到或超过规定的I_CM和V_（BR）CEO，否则它们的乘积将超过P_CM很多，使三极管过热而损坏。

在输出特性曲线上，三极管I_C不能超过I_CM，电压V_CE不能超过V_（BR）CEO，且I_C和V_CE的乘积不能超过P_CM，所以三极管只能工作在如图1-12所示的安全工作区。

图1-12 三极管的安全工作区

半导体器件的主要缺点是热稳定性较差，三极管的各种参数几乎都受温度变化的影响。比如，温度上升，β和I_CEO都将增大，使三极管输出特性曲线中曲线与曲线之间的间隔变宽，并且使整个输出特性曲线向上移。也就是说，在相同的 I_B情况下，I_C随温度升高而增大。

课堂练习：

某三极管的输出特性如图1-12所示，试求出三极管的β，V_（BR）CEO和I_CM，I_CEO等参数。

自我检查题

1.当半导体三极管的______结正向偏置、______结反向偏置时，三极管具有______作用，即______能控制______。

2.试判断图1-13所示的各三极管工作在何种状态?

图1-13

3.测得某三极管I_B=10μA时，有I_C=1.1mA；I_B=20μA时，有I_C=2.2mA，试求此三极管的β为多少?另求当I_B=30μA时，I_C为多少?

1.3 半导体器件产品手册查阅

1.3.1 半导体器件型号命名方法

我国半导体器件的型号是按照它们的极性、材料、类型来命名的。根据国家标准GB249—74，一般半导体器件的型号的命名由五部分组成。

说明：场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN管、激光器件的型号命名只有三、四、五部分。

我国半导体器件型号各组成部分的符号及含义，如表1.3所示。

表1.3 我国半导体器件型号组成部分的符号及其含义

1.3.2 常用半导体二极管、三极管主要参数查阅

常用半导体二极管、三极管主要参数可从半导体元器件产品手册上查阅，表1.4列出了整流二极管（部分型号）的主要参数。表1.5列出了低频大功率管（部分型号）的主要参数。

表1.4 N型硅整流二极管（部分型号）参数型号

注：整流电流在0.5A以上者需要安装相应的散热片。

例如，已知流过二极管的正向平均电流为20mA，反向电流小于20μA，其承受的最大反向电压为40V，试选择其合适的型号。

查表1.4，选用2CZ50B，其最大整流电流为30mA，反向电流小于5μA，最高反向电压为50V。

例如，已知三极管的最大管耗为8W，集电极最大电流为2A，集射极最高反向电压为15V，集-基极反向饱和电流小于0.4mA，共发射极电流放大系数为50，试选择其合适的型号。

表1.5 低频大功率管（部分型号）

查表1.5，选用3AD50A，其集电极最大耗散功率10W，集电极最大允许电流3A，反向击穿电压大于18V，集-基极反向饱和电流小于0.3mA，共发射极电流放大系数在20～140之间。

在实际使用中，我们可以根据需要来查阅半导体器件产品手册中的上述有关参数，选择满足需要的半导体器件的型号。

本章小结

1.半导体二极管具有单向导电性。外加正向偏置电压二极管导通，外加反向偏置电压二极管截止。

2.半导体三极管是一种电流控制器件，它的输出特性曲线可以分为三个工作区域：放大区、饱和区和截止区。要使三极管在放大区工作，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。在放大区较小的基极电流可以控制较大的集电极电流。

习题1

1.1 某三极管的电流放大实验测试数据如表1.6所示。

表1.6

试求：（1）I_B=0.02～0.07mA和0.04～0.07mA之间的β值各为多少?（2）I_B=0.04mA和0.07mA时的β值各为多少?（3）穿透电流I_CEO不超过多少?

1.2 工作在放大电路中的两个三极管，其电流分别如图1-14所示，试在图中分别对它们的引脚标出E，B，C，指出它们是NPN型管还是PNP型管，并分别估

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